Gamintojo produkto numeris:
TSM1NB60CW RPG
Product Overview
Gamintojas:
Taiwan Semiconductor Corporation
Detalių numeris:
TSM1NB60CW RPG-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CHANNEL 600V 1A SOT223
Išsami aprašymas:
N-Channel 600 V 1A (Tc) 39W (Tc) Surface Mount SOT-223
Inventorius:
9590 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12894919
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
TSM1NB60CW RPG Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Taiwan Semiconductor
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
600 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
1A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
10Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
6.1 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
138 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
39W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
SOT-223
Pakuotė / dėklas
TO-261-4, TO-261AA
Pagrindinio produkto numeris
TSM1NB60
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
TSM1NB60CWRPGDKR
TSM1NB60CWRPGCT
TSM1NB60CWRPGTR
TSM1NB60CW RPGDKR-DG
TSM1NB60CW RPGTR-DG
TSM1NB60CW RPGCT-DG
TSM1NB60CW RPGTR
TSM1NB60CW RPGCT
TSM1NB60CW RPGDKR
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
3 (168 Hours)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
DMT6005LPS-13
MOSFET N-CHA 60V 17.9A POWERDI
DMP2088LCP3-7
MOSFET P-CH 20V 2.9A X2DSN1006-3
DMTH6004SPS-13
MOSFET N-CH 60V 25A PWRDI5060
